新闻记者 常怡

通讯员 张希为 刘语晗

4月24日，2026九峰山论坛在光谷科技会展中心正式开幕。会上，第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长、国家新材料产业发展专家咨询委员会委员吴玲对《第三代半导体产业发展报告（2025）》进行了解读。

报告指出，发展以宽禁带及超宽禁带半导体为代表的化合物半导体，是关乎国家能源安全、信息产业升级与科技自立自强的战略抉择。2025年，我国GaN（氮化镓）射频电子市场规模达119亿元，同比增长9.2%。其中，最大的应用领域是安防与航天，市场规模约72亿元，市场占比60.7%；无线基础设施市场规模约33亿元，占比30.1%；移动终端设备市场规模约4.4亿元，占比5.5%；商业卫星将成为GaN射频未来增长新领域，核心驱动力来自低轨卫星的大规模部署。

2025年，我国LED产业步入深度调整与结构性重构的关键阶段，全年总产值约1037亿元，较去年微降4.4%。其中，上游外延芯片规模268亿元，中游封装规模769亿元。此外，深紫外已实现规模化量产，电光转换效率突破10%，寿命超15000小时，达到国际先进水平；Mini-LED成为全球主导者，在高端电视、电竞显示器领域加速渗透，随着巨量转移、封装驱动等技术突破，Mini-LED在微显示和大屏显示方面开启应用进程，同时成为AI算力集群短距光通信的解决方案之一。

吴玲称，我国已实现从技术追赶到局部领先的跃升，在光电子、射频电子和功率电子领域建立了较为完整的研发和产业体系，半导体照明产业规模已居世界第一，射频电子较好地满足了国防和5G移动通信需求，功率电子材料形成了产能优势，但目前仍有性价比和品牌影响力方面的挑战，正处于从技术突破向产业领先加速迈进的关键阶段。

针对当前中国化合物半导体产业仍面临性价比和品牌影响力等方面的挑战，吴玲表示，中国发展化合物半导体产业具备天然优势，产业需凝聚发展合力，依托现有技术与产业链基础，推动细分领域实现规模化突破。未来5-10年，有望实现全球引领，形成半导体领域的优势长板，抢占国际科技与产业竞争的战略主动权。

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